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单TVS 表面安装(峰值功率 200W @ 1ms浪涌）
单TVS 表面安装(峰值功率 400W @ 1ms浪涌）
单TVS 表面安装(峰值功率 600W @ 1ms浪涌）
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屏蔽功率电感
PS公司产品
PSCDS系列屏蔽贴片电感(与Sumida CDRH系列产品兼容)
PSDS系列屏蔽贴片电感（与Coil-Craft DS系列,Vishay-Dale IDSC系列产品兼容)
PSLF系列屏蔽贴片电感(与TDK SLF系列产品兼容)
晶振
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电解电容器
日本Rubycon YXG系列电解电容器
　

产品参数表(请选择一个产品):
产品型号 极性 集电极电流Ic(max)(A) 集电极-发射极电压Vceo(min)(V) 电流增益HFE最小值(dB) 电流增益HFE最大值(dB) 最大功率PTM Max (W) 增益带宽Ft(MHz) 封装/温度(℃) 价格/1片(套)
2N3055 NPN 15 60 20 70 115 2.500 TO3/-65~200 ￥12.00
2N5884 PNP 25 80 20 100 200 4 TO3/-65~200 ￥21.60
BD438 PNP 4 45 85 375 36 3 Case77/-55~150 ￥2.57
BD682 PNP 4 100 750 － 40 1 Case77/-55~150 ￥2.57
BDW42 NPN 15 100 1000 － 85 4 TO220/-55~150 ￥5.32
BUH100 NPN 10 400 6 － 100 23 TO220/-65~150 ￥7.22
BUV21 NPN 40 200 20 60 250 8 TO3/-65~200 ￥65.00
D45H8 PNP 10 60 40 － 50 40 3TO220/-55~150 ￥5.32
D45H8G PNP 60 10 20 70 3 75 TO220AB/-65~150 ￥4.99
MJD31C NPN 3 100 10 － 15 3 3PDAK/-65~150 ￥2.00
MJD340 NPN 0.500 300 30 240 15 － 3PDAK/-65~150 ￥2.28
MJD45H11G PNP 8 80 40 　 20 40 DPAK/-55~150 ￥3.42
MJD50 NPN 1 400 30 150 15 10 3PDAK/-65~150 ￥2.76
MJE15034 NPN 4 350 100 － 50 30 3TO220AB/-65~150 ￥16.80
MJE15035 PNP 4 350 100 － 50 30 3TO220AB/-65~150 ￥16.80
MJL1302A PNP 15 200 60 175 200 30 3TO264/-65~150 ￥20.70
MJL21193 PNP 16 250 25 75 200 4 3TO3PBL/-65~150 ￥32.00
MJL21194 NPN 16 250 25 75 200 4 3TO3PBL/-65~150 ￥32.00
MJL21195 PNP 16 250 25 75 200 4 3TO3PBL/-65~150 ￥32.00
MJL21196 NPN 16 250 25 75 200 4 3TO3PBL/-65~150 ￥32.00
MJL3281A NPN 15 200 60 175 200 30 3TO264/-65~150 ￥20.70
MJL4281A NPN 15 350 80 250 230 35 3TO264/-65~150 ￥43.00
MJL4302A PNP 15 350 80 250 230 35 3TO264/-65~150 ￥44.00
NSL12AWT1 PNP 2 12 100 300 － 100 SOT-416/-55~150 ￥.80
NSL12TT1 PNP 2 12 100 － － － SOT-416/-55~150 ￥.70
产品参数表(请选择一个产品):
产品型号 集电极-发射极嵌位电压 (关闭状态)典型值(V) 集电极电压最大值(导通状态)Vce(on)@Vge=4.0V,Ic=6.0A(V) 集电极电压最大值(导通状态)Vce(on)@Vge(V) Ic-Pulsed最大值(A) Id-cont最大值(A) 总功耗最大值Pd(W) 封装/温度(℃) 描述 价格/1片(套)
MGB15N40CLT4 400 1.600 1.900 50 15 150 D2PAK/-55~175 隔离栅双极性晶体管 ￥20.00
MGB19N35CLT4 350 1.600 1.800 50 19 166 D2PAK/-55~175 隔离栅双极性晶体管 ￥20.00
NGB15N41CLT4 410 1.800 2.200 50 15 107 D2PAK/-55~175 隔离栅双极性晶体管 ￥17.60
NGB18N40CLBT4 430 1.600 2 50 18 115 D2PAK/-55~175 隔离栅双极性晶体管 ￥17.40
NGD15N41CLT4 410 1.800 2.200 50 15 107 DPAK/-55~175 隔离栅双极性晶体管 ￥15.50
NGD18N40CLB 430 1.600 2 50 18 115 DPAK/-55~175 隔离栅双极性晶体管 ￥15.00
NGD18N40CLBT4 430 1.600 2 50 18 115 DPAK/-55~175 隔离栅双极性晶体管 ￥15.00
NGP15N41CL 410 1.800 2.200 50 15 107 TO-220/-55~175 隔离栅双极性晶体管 ￥16.60
产品参数表(请选择一个产品):
产品型号 工作电压(V) 驱动器数 输出电流最大值(A) 传播延时(ns) 封装/温度(℃) 描述 价格/1片(套)
MC33153D 11~20 1 1 300 8SOIC/-40~105 单IGBT门驱动器 ￥14.80
MC33153P 11~20 1 1 300 8PDIP/-40~105 单IGBT门驱动器 ￥14.80
产品参数表(请选择一个产品):
产品型号 FET数 漏源电压(V) 持续漏极电流(VGS=-10V)最大值(A) 静态漏源直流电阻 (VGS=-10V)典型值(mΩ) 通道极性 封装/温度(℃) 描述 价格/1片(套)
TPS1100D 1 -15 -1.600 180 P沟道 8SOIC/-40~85 单路P沟道增强方式MOSFET ￥6.80
TPS1100DR 1 -15 -1.600 180 P沟道 8SOIC/-40~85 单路P沟道增强方式MOSFET ￥6.80
TPS1101D 1 -15 -2.300 90 P沟道 8SOIC/-40~125 单路P沟道增强方式MOSFET ￥11.70
TPS1120D 2 -15 -1.700 180 P沟道 8SOIC/-40~85 双路P沟道增强方式MOSFET ￥10.50
TPS1120DR 2 -15 -1.700 180 P沟道 8SOIC/-40~85 双路P沟道增强方式MOSFET ￥13.40
产品参数表(请选择一个产品):
产品型号 源漏极间雪崩电压V(BR)DSS(V) 源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ) 最大漏极电流Id(on)(A) 通道极性 封装/温度(℃) 描述 价格/1片(套)
2N7000RLRAG 60 5000 0.200 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管 ￥.85
BS107AG 200 6000 0.250 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管 ￥1.24
BS108ZL1G 200 10000 0.250 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管 ￥1.24
BS170G 60 5000 0.500 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管 ￥1.20
BSS123LT1G 100 6000 0.170 N沟道 SOT-23/-55~150 小信号N沟道SOT23封装场效应管 ￥.60
BSS138LT1G 50 3500 0.200 N沟道 SOT-23/-55~150 小信号N沟道SOT23封装场效应管 ￥.60
BSS84LT1G 50 5000 0.130 P沟道 SOT-23/-55~150 小信号P沟道SOT23封装场效应管 ￥.60
MGSF1N02LT1G 20 130 0.750 N沟道 SOT-223/-55~150 0.75A,20V,SOT223,N沟道功率MOSFET ￥1.00
MGSF1N03LT1G 30 145 2.100 N沟道 SOT-223/-55~150 2.1A,30V,SOT223,N沟道功率MOSFET ￥1.60
MGSF2N02ELT1G 20 115 2.800 N沟道 SOT-223/-55~150 2.8A,20V,SOT223,N沟道功率MOSFET ￥1.00
MMBF0201NLT1G 20 1.400 0.300 N沟道 SOT-223/-55~150 0.3A,20V,SOT223,N沟道功率MOSFET ￥1.20
MMBF170LT1G 60 － 0.500 N沟道 SOT-223/-55~150 0.5A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET ￥.60
MMBF170LT3G 60 － 0.500 N沟道 SOT-223/-55~150 0.5A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET ￥.60
MMBF2201NT1G 20 1.400 0.300 N沟道 SOT-223/-55~150 0.3A,20V,SOT223,N沟道功率MOSFET ￥1.10
MMBF2202PT1G 20 3.500 0.300 P沟道 SOT-223/-55~150 0.3A,20V,SOT223,P沟道功率MOSFET ￥1.10
MMDF2C03HDR2G 30 70/200 4.100 N/P沟道 SO-8/-55~150 2A,30V,SO-8,N/P沟道功率双MOSFET ￥5.88
MMDF2N02ER2G 25 100 3.600 N/N沟道 SO-8/-55~150 2A,25V,SO-8,N沟道功率双MOSFET ￥6.30
MMDF2P02HDR2G 20 160 3.600 P/P沟道 SO-8/-55~150 2A,20V,SO-8,P沟道功率双MOSFET ￥5.90
MMDF3N02HDR2G 20 90 3.800 N/N沟道 SO-8/-55~150 3A,20V,SO-8,N沟道功率双MOSFET ￥6.00
MMDF3N04HDR2G 40 80 3.400 N/N沟道 SO-8/-55~150 3A,40V,SO-8,N沟道功率双MOSFET ￥5.90
MMFT960T1G 60 1.700 0.300 N沟道 SOT-223/-55~150 0.3A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET ￥2.70
MMSF3P02HDR2G 20 95 5.600 P沟道 SO-8/-55~150 3A,20V,SO-8,P沟道功率MOSFET ￥5.90
MMSF7P03HDR2G 30 35 7 P沟道 SO-8/-55~150 7A,30V,SO-8,P沟道功率MOSFET ￥5.80
MTB30P06VT4G 60 67 30 P沟道 3D2PAK/-65~175 30A,60V,D2PAK,P沟道功率MOSFET ￥11.50
MTB50P03HDLT4G 30 25 50 P沟道 3D2PAK/-65~175 50A,30V,D2PAK,P沟道功率MOSFET ￥20.00
MTD5P06VT4G 60 450 5 P沟道 3DPAK/-65~175 5A,60V,DPAK,P沟道功率MOSFET ￥3.15
MTP12P10G 100 300 12 P沟道 TO-220AB/-65~150 12A,100V,TO220,P沟道功率MOSFET ￥10.60
MTP23P06VG 60 120 23 P沟道 TO-220AB/-65~150 23A,60V,TO220,P沟道功率MOSFET ￥8.70
MTP2P50EG 500 6000 2 P沟道 TO-220AB/-55~150 小信号P沟道TO-220AB封装场效应管 ￥13.00
MTP50P03HDLG 30 25 50 P沟道 TO-220AB/-55~150 小信号P沟道TO-220AB封装场效应管 ￥18.50
MTW32N20EG 200 75 32 N沟道 TO-247/-55~150 小信号N沟道TO-247封装场效应管 ￥37.90
NID5001NT4G 42 29 33 N沟道 DPAK/-55~175 自保护FET带过温和过流限制 ￥5.90
NID5003NT4G 42 50 20 N沟道 DPAK 4/-55~175 自保护FET带过温和过流限制42V，20A ￥3.85
NID6002NT4G 60 210 6.500 N沟道 DPAK 4/-55~150 65 V, 6.5 A, 带过温和过流保护，N沟道FET 暂无
NID9N05CLT4G 55 181 － N沟道 DPAK/-55~175 9 A, 52带ESD保护功率MOSFET ￥2.00
NIF5002NT1G 42 200 3 N沟道 SOT223/-55~175 自保护FET带过温和过流限制42 V, 2.0 A, ￥2.20
NIF5003NT1G 42 68 14 N沟道 SOT223/-55~175 自保护FET带过温和过流限制42 V clamp, 14 A ￥4.40
NIF5003NT3G 42 68 14 N沟道 SOT223/-55~175 自保护FET带过温和过流限制42 V clamp, 14 A ￥3.80
NIF62514T1G 42 100 － N沟道 SOT223/-55~175 自保护FET带过温和过流限制，电压钳位 ￥3.50
NTA4001NT1G 20(min) 1500 0.238 N沟道 SC-75 /-55 ~150 小信号N沟道20 V, 238 mA MOSFET 带ESD保护 ￥1.10
NTA4151PT1G 20(min) 360 0.760 P沟道 SC-75/-55 ~150 小信号p沟道-20 V, -760 mA MOSFET 带ESD保护 ￥1.30
NTA4153NT1G 26(min) 9500 0.915 N沟道 SC-75/-55 ~150 小信号N沟道20 V, 915 mA, MOSFET 带ESD保护 ￥1.20
NTA7002NT1G 30(min) 2000 0.154 N沟道 SC-75/-55 ~150 小信号N沟道230 V, 154 mA, MOSFET 带ESD保护 ￥.50
NTB125N02RT4G 24(min) 4.600 125 N沟道 D2PAK 3/-55 ~150 125 A, 24 V 功率MOSFET ￥7.45
NTB25P06G 60 82 27.500 P沟道 D2PAK/-55 ~150 -60 V, -27.5 A功率MOSFET ￥7.25
NTB25P06T4G 60 82 27.500 P沟道 D2PAK/-55 ~150 -60 V, -27.5 A功率MOSFET ￥7.25
NTB30N06G 60 42 27 N沟道 D2PAK /-55 ~150 30 A, 60 V 功率MOSFET ￥4.68
NTB30N20T4G 200 81 30 N沟道 D2PAK/-55 ~150 30 A, 200 V功率MOSFET ￥17.80
NTB35N15T4G 150 50 37 N沟道 D2PAK/-55 ~150 37 A, 150 V功率MOSFET ￥15.70
NTB4302T4G 30 9.300 74 N沟道 D2PAK/-55 ~150 74 A, 30 V功率MOSFET ￥6.30
NTB45N06T4G 40 26 45 N沟道 D2PAK/-55 ~150 45 A, 60 V功率MOSFET ￥7.50
NTB52N10T4G 100 30 52 N沟道 D2PAK/-55 ~150 52 A, 100 V功率MOSFET ￥15.00
NTB5605PG 60 140 18.500 P沟道 D2PAK/-55 ~150 - 60 V, - 18.5 A,功率MOSFET ￥5.54
NTB60N06T4G 60 14 60 N沟道 D2PAK/-55 ~150 60 V, 60 A功率MOSFET ￥10.98
NTB65N02RT4G 24 10.500 65 N沟道 D2PAK/-55 ~150 24V, 65 A功率MOSFET ￥3.90
NTB75N06T4G 60 9.500 75 N沟道 D2PAK/-55 ~150 75 A, 60 V功率MOSFET ￥17.60
NTB85N03T4G 28 6.100 85 N沟道 D2PAK/-55~150 85A,28V功率MOSFET 暂无
NTD110N02R-001G 24 4.600 110 N沟道 DPAK 3/-55 ~150 24 V, 110 A功率MOSFET ￥6.25
NTD110N02RG 24 3.700 110 N沟道 DPAK/-55~150 110A,24V功率MOSFET 暂无
NTD110N02RT4G 24 4.600 110 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 24 V, 110 A功率MOSFET ￥6.25
NTD12N10T4G 100 165 12 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 12 A, 100 V功率MOSFET ￥3.79
NTD18N06-1G 60 60 18 N沟道 DPAK 3/-55 ~150 18 A, 60 V功率MOSFET ￥3.76
NTD18N06LT4G 60 60 18 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 18 A, 60 V功率MOSFET ￥3.76
NTD20N03L27T4G 30 27 20 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 20 A, 30 V功率MOSFET ￥4.10
NTD20N06LT4G 60 48 20 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 20 A, 60 V功率MOSFET ￥4.10
NTD20N06T4G 60 46 20 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 20 A, 60 V功率MOSFET ￥4.10
NTD20P06LT4G 60 150 15.500 P沟道 DPAK 4/-55 ~150 -60 V, -15.5 A功率MOSFET ￥4.30
NTD24N06LT4G 60 45 24 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 24 A, 60 V功率MOSFET ￥4.80
NTD24N06T4G 60 42 24 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 24 A, 60 V功率MOSFET ￥4.80
NTD25P03LT4G 30 72 25 P沟道 DPAK 4/-55 ~150 -25 A, -30 V功率MOSFET ￥4.50
NTD2955T4G 60 180 12 P沟道 DPAK 4/-55 ~150 -60 V, -12 A功率MOSFET ￥3.05
NTD3055-150-1G 60 150 9 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 60 V, 9.0 A功率MOSFET ￥2.20
NTD3055-150T4G 60 150 9 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 60 V, 9.0 A功率MOSFET ￥2.20
NTD3055L104T4G 60 104 12 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 12 A, 60 V功率MOSFET ￥2.50
NTD3055L170T4G 60 170 9 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 9.0 A, 60 V功率MOSFET ￥2.35
NTD32N06LT4G 60 28 32 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 32 A, 60 V功率MOSFET ￥5.70
NTD32N06T4G 60 26 32 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 32 A, 60 V功率MOSFET ￥5.70
NTD40N03R-1G 25 16.500 45 N沟道 DPAK 3/-55 ~150 45A, 25V功率MOSFET ￥2.70
NTD40N03RT4G 25 16.500 45 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 45A, 25V功率MOSFET ￥2.70
NTD4302T4G 30 10 68 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 68A, 30V功率MOSFET ￥5.88
NTD4813NT4G 30 13 40 N沟道 DPAK 4/-55~175 40A,30V,,N沟道功率MOSFET 暂无
NTD60N02RT4G 25 10.500 62 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 62A, 25V功率MOSFET ￥3.79
NTD70N03RT4G 25 8 72 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 70-75 A, 25V功率MOSFET ￥4.00
NTD85N02RT4G 24 5.200 85 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 85 A, 24 V,功率MOSFET ￥4.32
NTD95N02RT4G 24 5 95 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 95A, 24 V,功率MOSFET ￥5.00
NTE4151PT1G 20 360 0.760 P沟道 SC-89/-55 ~150 -20 V, -760 mA,功率MOSFET ￥.80
NTF2955T1G 60 170 2.600 P沟道 SOT-223/-55 ~150 -60 V, -2.6 A,功率MOSFET ￥3.50
NTF3055-100T1G 60 100 3 N沟道 SOT-223/-55 ~150 3.0 A, 60 V功率MOSFET ￥2.25
NTF3055-100T3G 60 100 3 N沟道 SOT-223/-55 ~150 3.0 A, 60 V功率MOSFET ￥2.25
NTF3055L108T1G 60 120 3 N沟道 SOT-223/-55 ~150 3.0 A, 60 V功率MOSFET ￥2.10
NTF3055L108T3G 60 120 3 N沟道 SOT-223/-55 ~150 3.0 A, 60 V功率MOSFET ￥2.25
NTF3055L108T3LFG 60 120 3 N沟道 SOT-223/-55 ~150 3.0 A, 60 V功率MOSFET ￥2.25
NTF3055L175T1G 60 175 2 N沟道 SOT-223/-55 ~150 2 A, 60 V功率MOSFET ￥1.89
NTF5P03T3G 30 100 5 P沟道 SOT-223/-55 ~150 5.2 A, 30 V功率MOSFET ￥2.80
NTF6P02T3G 20 50 6 P沟道 SOT-223/-55 ~150 -20 V, -6.0A功率MOSFET ￥3.20
NTGD1100LT1G 8 55 3.300 P沟道 TSOP6/-55~150 8V，3.3A P沟道MOSFET ￥1.50
NTGS3441T1G 20 90 2.350 P沟道 TSOP-6/-55 ~150 1 A, 20 V功率MOSFET ￥1.60
NTGS3443T1G 20 65 2 P沟道 TSOP-6/-55 ~150 2A, 20 V功率MOSFET ￥1.60
NTGS3446T1G 20 45 5.100 N沟道 TSOP-6/-55 ~150 5.1A, 20 V功率MOSFET ￥1.79
NTGS3455T1G 30 100 3.500 P沟道 TSOP-6/-55 ~150 -3.5A,-30 V功率MOSFET ￥1.79
NTGS4111PT1G 30 60 4.700 P沟道 TSOP-6/-55 ~150 -30 V, -4.7A功率MOSFET ￥1.90
NTHC5513T1G 20 80 3.900 N/P沟道 ChipFET/-55~150 20 V, +3.9 A/-3.0 A功率MOSFET ￥2.35
NTHD3100CT1G 20 80 3.900 N/P沟道 ChipFET /-55~150 20 V, +3.9 A/-4.4 A功率MOSFET ￥3.00
NTHD3101FT1G 20 80 4.400 P沟道 ChipFET /-55~150 -20 V, -4.4 A功率MOSFET ￥3.00
NTHD4508NT1G 20 75 4 N沟道 ChipFET /-55~150 20 V, 4.1 A功率MOSFET ￥2.80
NTHD4P02FT1G 20 155 3 P沟道 ChipFET/-55~150 -20 V, -3.0 A,功率MOSFET ￥3.20
NTHS2101PT1G 8 25 7.500 P沟道 ChipFET/-55~150 -8 V, -7.5 A功率MOSFET ￥2.70
NTHS4101PT1G 20 34 6.700 P沟道 ChipFET/-55~150 -20 V, -6.7 A,功率MOSFET ￥2.70
NTHS4501NT1G 30 38 6.700 N沟道 ChipFET /-55~150 30 V, 6.7 A功率MOSFET ￥2.80
NTHS5404T1G 20 30 7.200 N沟道 ChipFET/-55~150 20V, 7.2A,功率MOSFET ￥3.00
NTHS5441T1G 20 60 5.300 P沟道 ChipFET/-55~150 -20 V, -5.3 A功率MOSFET ￥2.50
NTHS5443T1G 20 65 4.900 P沟道 ChipFET/-55~150 -20V, -4.9 A功率MOSFET ￥2.50
NTJD1155LT1G 8 175 1.300 P沟道 SOT-363/-55 ~150 8 V, ± 1.3 A功率MOSFET ￥1.90
NTJD2152PT1G 8 300 0.775 P沟道 SOT-363/-55 ~150 8V双功率MOSFET带ESD保护 ￥1.89
NTJD4105CT1G 20 200 0.775 N/P沟道 SOT-363/-55 ~150 小信号20V/-8V ，+0.63A/-0.775A MOSFET ￥1.90
NTJD4152PT1G 20 215 0.880 P沟道 SOT-363/-55 ~150 小信号20 V, 0.88 A双P沟道 MOSFET ￥1.40
NTJD4401NT1G 20 375 0.630 N沟道 SOT-363/-55 ~150 小信号20 V,双N沟道 MOSFET ￥1.59
NTJS3151PT1G 12 60 3.300 P沟道 SOT-363/-55 ~150 12 V, 3.3 A, 功率MOSFET ￥1.49
NTJS4151PT1G 20 60 4.200 P沟道 SOT-363/-55 ~150 -20 V, -4.2 A功率MOSFET ￥1.44
NTLTD7900ZR2G 20 26 9 N沟道 MICRO-8/-55 ~150 20 V, 9A功率MOSFET ￥4.00
NTMD2C02R2G 20 43 5.200 N/P沟道 SOIC-8/-55 ~150 2 A, 20 V,功率MOSFET ￥4.30
NTMD3P03R2G 30 85 3.050 P沟道 SOIC-8/-55 ~150 -3.05 A, -30 V功率MOSFET ￥3.95
NTMD6N02R2G 20 35 6.500 N沟道 SOIC-8/-55 ~150 6.0 A, 20v功率MOSFET ￥3.50
NTMD6N03R2G 30 32 6 N沟道 SOIC-8/-55 ~150 30 V, 6 A,功率MOSFET ￥4.30
NTMD6P02R2G -20 33 -7.800 P沟道 SOIC8/-55~155 -20 V, -7.8 A功率MOSFET 暂无
NTMFS4120NT1G 30 4.500 31 N沟道 DFN6/-55 ~150 30 V, 31 A,功率MOSFET ￥7.50
NTMFS4121NT1G 30 5.250 29 N沟道 DFN6/-55 ~150 30 V, 29 A,功率MOSFET ￥6.50
NTMFS4122NT1G 30 6 23 N沟道 So-8FL /-55 ~150 30 V, 23 A,功率MOSFET ￥6.00
NTMFS4709NT1G 30 3.600 94 N沟道 DFN6/-55 ~150 30 V, 94 A,功率MOSFET ￥7.50
NTMS10P02R2G 20 14 1.600 P沟道 SOIC-8/-55 ~150 20 V, 10 A功率MOSFET ￥6.90
NTMS4107NR2G 30 3.400 1.800 N沟道 SOIC-8/-55 ~150 30 V, 18 A功率MOSFET ￥7.00
NTMS4503NR2G 28 7 14 N沟道 SOIC-8/-55 ~150 28 V, 14 A,功率MOSFET ￥4.90
NTMS4704NR2G 30 9.500 12.300 N沟道 SOIC-8/-55 ~150 30 V, 12.3 A, 功率MOSFET ￥4.50
NTMS4705NR2G 30 10 12 N沟道 SOIC-8/-55 ~150 30 V, 12 A 功率MOSFET ￥5.00
NTMS5P02R2G 20 33 5.400 P沟道 SOIC-8/-55 ~150 -20 V, -5.4 A, 功率MOSFET ￥3.50
NTMS7N03R2G 30 23 7 N沟道 SOIC-8/-55 ~150 7 A, 30 V 功率MOSFET ￥3.90
NTMSD3P102R2G 20 85 3 P沟道 SOIC-8/-55 ~150 增强型功率MOSFET集成肖特基二极管 ￥4.50
NTP125N02RG 24 4.600 125 N沟道 TO-220/?55 ~150 125 A, 24 V功率MOSFET ￥7.80
NTP18N06G 60 90 15 N沟道 TO-220/-55 ~150 15 A, 60 V功率MOSFET ￥3.35
NTP18N06LG 60 100 15 N沟道 TO-220/-55 ~150 15 A, 60 V功率MOSFET ￥3.35
NTP27N06G 60 46 27 N沟道 TO-220/-55 ~150 27 A, 60 V功率MOSFET ￥5.35
NTP2955G 60 196 12 P沟道 TO-220/-55 ~150 -60 V, -12 A功率MOSFET ￥4.90
NTP30N06LG 60 46 30 N沟道 TO-220/?55 ~150 30 A, 60 V功率MOSFET ￥6.30
NTP30N20G 200 81 30 N沟道 TO-220/?55 ~150 30 A, 200 V功率MOSFET ￥16.00
NTP35N15G 150 50 37 N沟道 TO-220/-55 ~150 37 A, 150 V功率MOSFET ￥17.60
NTP4302G 30 9.300 74 N沟道 TO-220/-55 ~150 74 A, 30 V功率MOSFET ￥5.30
NTP45N06G 60 26 45 N沟道 TO-220AB/-55~175 45A,60V功率MOSFET ￥7.20
NTP52N10G 100 30 60 N沟道 TO-220/?55 ~150 60 A, 100 V功率MOSFET ￥18.00
NTP60N06G 60 14 60 N沟道 TO-220/-55 ~150 60 V, 60 A功率MOSFET ￥11.76
NTP60N06LG 60 16 60 N沟道 TO-220/-55 ~150 60 V, 60 A功率MOSFET ￥12.00
NTP75N03-6G 30 5.3@10V 75 N沟道 3TO220AB/-55~150 75A,30V功率MOSFET 暂无
NTP75N03L09G 30 8 75 N沟道 TO-220/-55 ~150 75 A, 30v功率MOSFET ￥12.90
NTP75N06G 60 9.500 75 N沟道 TO-220/-55 ~150 75 A 60v 功率MOSFET ￥13.40
NTP90N02G 24 5.800 90 N沟道 TO-220/-55 ~150 90 A, 24 V功率MOSFET ￥6.50
NTQD6866R2G 20 30 6.900 N沟道 TSSOP8 /-55 ~150 6.9 A, 20 V功率MOSFET ￥4.90
NTQD6968NR2G 20 22 7 N沟道 TSSOP8 /-55 ~150 7.0 A, 20 V双功率MOSFET ￥4.30
NTR0202PLT1G 20 800 0.400 P沟道 SOT-23 /-55 ~150 -20 V, -400 mA,双功率MOSFET ￥1.20
NTR1P02LT1G 20 220 1.300 P沟道 SOT-23 /-55 ~150 -20 V, -1.3 A,双功率MOSFET ￥1.39
NTR1P02T1G 20 180 1 P沟道 SOT-23 /-55 ~150 -20 V, -1 A,双功率MOSFET ￥1.39
NTR2101PT1G 8 52 3.700 P沟道 SOT-23 /-55 ~150 -8 V, -3.7 A,双功率MOSFET ￥1.59
NTR4101PT1G 20 8.500 3.200 P沟道 SOT-23 /-55 ~150 -20 V, -3.2 A,双功率MOSFET ￥1.30
NTR4501NT1G 20 80 3.200 N沟道 SOT-23 /-55 ~150 20 V, 3.2 A双功率MOSFET ￥1.30
NTR4502PT1G 30 200 1.950 P沟道 SOT-23 /-55 ~150 -30V, -1.95 A,双功率MOSFET ￥1.30
NTR4503NT1G 30 140 2.500 N沟道 SOT-23 /-55 ~150 30 V, 2.5 A,双功率MOSFET ￥1.30
NTS2101PT1G 8 100 1.400 P沟道 SOT-23 /-55 ~150 -8 V, -1.4 A,双功率MOSFET ￥1.49
NTS4001NT1G 30 1500 0.270 N沟道 SC-70 /-55 ~150 30V, 270 mA,双功率MOSFET ￥1.49
NTS4101PT1G 20 120 1.370 P沟道 SC-70 /-55 ~150 -20 V, -1.37 A,双功率MOSFET ￥1.25
NTTD4401FR2G 20 90 3.300 P沟道 SC-70 /-55 ~150 -20 V, -3.3 A双功率MOSFET ￥2.90
NTTS2P02R2G 20 90 3.250 P沟道 Micro8/-55 ~150 -2.4 A, -20 V 双功率MOSFET ￥3.00
NTTS2P03R2G 30 135 2.480 P沟道 Micro8/-55 ~150 -2.48 A, -30 V功率MOSFET ￥3.50
NTY100N10G 100 11 100 N沟道 TO-264/-55 ~150 100 V, 123 A,双功率MOSFET ￥79.00
NTZD3152PT1G 20 900 0.430 P沟道 SOT-563/-55 ~150 -20 V, -430 mA 双功率MOSFET ￥1.50
NTZD3154NT1G 20 550 0.570 N沟道 6SOT-563/-55~150 20 V, 570 mA功率MOSFET带ESD保护 暂无
NTZD3155CT1G 20 400 0.540 N/P沟道 SOT-563/-55 ~150 20 V, 540 mA/ -430 mA 双功率MOSFET带ESD保护 ￥1.20
NTZS3151PT1G 20 150 0.950 P沟道 SOT-563/-55 ~150 -20 V, -950 mA 双功率MOSFET带ESD保护 ￥1.20
NUD3112LT1G 14 1300 0.500 N沟道 SOT-23/-40~85 感应负载驱动器 ￥1.40
产品参数表(请选择一个产品):
产品型号 通态电阻RDS(on)(Max)(Ω)(@VGS=5.0V) 过压保护 过流保护 过热保护 ESD 总功耗Pd(W) 封装/温度(℃) 价格/1片(套)
MLD1N06CLT4G 0.750 Yes Yes No Yes 40 3DPAK/-50~150 ￥4.20
MLD2N06CLT4G 0.400 Yes Yes No Yes 40 3DPAK/-50~150 ￥3.80
产品参数表(请选择一个产品):
产品型号 源漏极间雪崩电压VBR(V) 源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ) 最大漏极电流Id(on)(A) 通道极性 封装/温度(℃) 描述 价格/1片(套)
2N7000RLRM 60 5000 0.200 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管 ￥.80
2N7002LT1 60 7500 0.120 N沟道 SOT-23/-55~150 小信号N沟道SOT23封装场效应管 ￥.30
BS107A 200 6000 0.250 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管 ￥1.65
BS108ZL1 200 10000 0.250 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管 ￥1.65
BS170 60 5000 0.500 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管 ￥1.14
BSS123LT1 100 6000 0.170 N沟道 SOT-23/-55~150 小信号N沟道SOT23封装场效应管 ￥.53
BSS138LT1 50 3500 0.200 N沟道 SOT-23/-55~150 小信号N沟道SOT23封装场效应管 ￥.55
BSS84LT1 50 10000 0.130 P沟道 SOT-23/-55~150 小信号P沟道SOT23封装场效应管 ￥.57

　

产品参数表(请选择一个产品):
产品型号 反向重复峰值电压VRRM(max)(V) 平均整流器前向电流IO(max)(A) 瞬间前向电压VF(max)@IF(V) 非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A) 瞬间反转电流IR(max)(mA) 封装/温度(℃) 价格/1片(套)
1N5817G 20 1 0.450 25 1 DO41/-65~125 ￥.80
1N5818G 30 1 0.550 25 1 DO41/-65~125 ￥.80
1N5819RLG 40 1 0.600 25 1 DO41/-65~125 ￥.90
1N5822RLG 40 3 0.530 80 2 DO201AD/-65~125 ￥1.50
80SQ045NRLG 45 8 0.550 140 1 DO201AD/-65~125 ￥2.90
MBD101G － 7 0.600 － 0.250 TO92/-65~125 ￥.70
MBD330DWT1G － 30 0.400 － 0.200 SOT-363/-65~125 ￥.80
MBD54DWT1G － 30 0.320 － 2 SOT-363/-65~125 ￥.80
MBR0520LT1 20 0.500 0.310 @ 0.1 A 5 5 @ 10 V 2SOD123/-65~125 ￥.63
MBR0520LT1G 20 0.500 0.385@0.5A 5 0.25@20V 2SOD123/125（max） ￥.70
MBR0530T1 30 0.500 0.375 @ 0.1 A 5 － 2SOD123/-65~125 ￥.63
MBR0530T1G 30 0.500 0.430@0.5A 5 0.13@30V 2SOD123/125（max） ￥.70
MBR0540T1 40 0.500 0.53 @ 0.5 A 5 － 2SOD123/-55~150 ￥.63
MBR0540T1G 40 0.500 0.53@0.5A 5 0.20@40V 2SOD123/150（max） ￥.70
MBR10100 100 10 0.80 @ 10 A 150 6 @ 125°C 3TO220AC/-65~150 ￥5.34
MBR10100G 100 10 0.85@10A 150 0.100 TO-220/150（max） ￥5.00
MBR1045 45 10 0.84 @ 20 A 150 15 @ 125°C 3TO220AC/-65~150 ￥3.79
MBR1060G 60 10 0.80@10A 150 0.100 TO-220/150（max） ￥3.60
MBR10H100CTG 100 5 0.850 180 3.5uA TO-220/-65~175 ￥5.80
MBR1100G 100 1 0.79@1A 50 5 DO41/150（max） 暂无
MBR1100RL 100 1 0.79 @ 1.0 A 50 5 DO41/-65~150 ￥1.24
MBR1100RLG 100 1 0.79@1A 50 0.500 DIODE41/150（max） ￥1.25
MBR120ESFT1 20 1 0.53@1.0A 40 1.6@100℃ 2SOD123/-65~150 ￥.95
MBR120ESFT1G 20 1 0.53@1A 40 0.010 SOD123/150（max） ￥.99
MBR120LSFT1 20 1 0.45@1.0A 50 25@85℃ 2SOD123/-65~150 ￥.95
MBR120LSFT1G 20 1 0.45@1A 40 0.400 SOD123/150（max） ￥.99
MBR120VLSFT1 20 1 0.34@1.0A 45 15@85℃ 2SOD123FL/-65~150 ￥1.30
MBR120VLSFT1G 20 1 0.34@1A 40 0.600 SOD123/125（max） ￥1.00
MBR130LSFT1G 30 1 0.41@1A 25 1 SMA/125（max） ￥.99
MBR130T1G 30 1 0.41@1A 25 1 SMA/125（max） ￥.99
MBR140SFT1 40 1 0.55@1.0A 30 25@85℃ 2SOD123FL/-55~125 ￥.95
MBR140SFT1G 40 1 0.55@1A 30 0.500 SOD/125（max） ￥.99
MBR150G 50 1 0.75@1A 25 0.500 DIODE41/150（max） ￥.99
MBR1545CT 45 15 0.84@15A 150 15@125℃ 3D2PAK/-65~150 ￥2.76
MBR1545CTG 45 15 0.63@15A 150 0.200 TO-220/150（max） ￥2.60
MBR16100CT 100 16 0.84@16A 150 5@125℃ 4TO220AB/-65~175 ￥8.64
MBR16100CTG 100 16 0.84@16A 150 0.100 TO-220/150（max） ￥8.55
MBR1645 45 16 0.63@16A 150 40@125℃ 3TO220AC/-65~150 ￥5.13
MBR1645G 45 16 0.63@16A 150 0.200 TO-220/150（max） ￥4.85
MBR20100CT 100 20 0.95@20A 150 6@125℃ 4TO220AB/-65~150 ￥4.18
MBR20100CTG 100 20 1.0@20A 150 1 TO-220/150（max） ￥3.90
MBR20200CT 200 20 1.0@20A 150 50@125℃ 4TO220AB/- ￥9.90
MBR20200CTG 200 20 1.0@20A 150 1 TO-220/150（max） ￥9.80
MBR2030CTLG 30 20 0.58@20A 150 5 TO-220/150（max） ￥9.80
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MBR2045CTG 45 20 0.84@20A 150 1 TO-220/150（max） ￥2.70
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MBR2090CTG 90 20 0.95@20A 150 0.100 TO-220/150（max） ￥7.50
MBR20H100CTG 100 20 0.77@10A 250 6@125℃ TO-220/175（max） ￥7.50
MBR2515L 15 25 0.45@25A 150 200@70℃ 3TO220AC/-65~100 ￥13.50
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MBR2545CTG 45 25 0.82@25A 150 0.200 TO-220/150（max） ￥3.40
MBR3045PT 45 30 0.76@30A 200 100@125℃ 4TO218AC/-65~150 ￥10.80
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MBR30H100CTG 100 15 0.930 250 0.004 TO-220/150（max） ￥8.00
MBR3100 100 3 0.79@3A 150 20@100℃ DO210AD/-65~150 ￥2.69
MBR3100RLG 100 3 0.79@3.0A 80 0.600 DIODE201/125（max） ￥2.20
MBR340G 40 3 0.525@3.0A 80 0.600 DIODE201/125（max） ￥1.39
MBR360G 60 3 0.740@3.0A 80 0.600 DIODE201/125（max） ￥1.39
MBR4015CTLG 40 15 0.420 　 5 TO-247/125（max） ￥9.80
MBR4015LWTG 15 40 0.50@40A 400 5 TO-247/100（max） ￥25.00
MBR40250G 250 40 0.970 150 0.030 TO-220/150（max） ￥7.50
MBR40250TG 250 40 0.970 150 30 uA TO-220/-65~150 ￥7.50
MBR4045PTG 45 40 0.80@40A 400 1 SOT937/150（max） ￥14.00
MBR4045WTG 45 40 0.80@40A 400 1 TO-247/150（max） ￥21.80
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MBR60H100CTG 100 30 0.980 350 0.010 TO-220/-65~175 ￥10.00
MBR7030WTG 30 70 0.72@70A 500 250 TO-247/-65~125 ￥39.00
MBR745G 45 7.500 0.84@15A 150 0.100 TO-220/150（max） ￥3.20
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MBRA120ET3G 20 1 0.530@1.0A 40 0.010 SMA/150(MAX) ￥.90
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MBRA140T3 40 1 0.60@1.0A 25 10@40V SMA/-55~125 ￥.86
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MBRA210ET3G 10 2 0.5@2.0A 150 0.050 SMA/150(MAX) ￥1.59
MBRA210LT3 10 2 0.35@2.0A 230 60@100℃ SMA/-55~125 ￥1.52
MBRA340T3 40 3 0.450 100 － SMA/-55~1525 ￥1.58
MBRA340T3G 40 3 0.5@2.0A 150 0.050 SMA/150(MAX) ￥1.48
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MBRB20100CTG 20 100 0.95@20A 150 0.100 D2PAK/150(MAX) ￥8.55
MBRB20200CTG 20 200 1.0@20A 150 0.100 D2PAK/150(MAX) ￥11.50
MBRB20200CTT4 200 20 1.0@20A 150 50@125℃ 3D2PAK/-65~150 ￥13.00
MBRB20200CTT4G 200 20 1 - 1 D2PAK/-65~125 暂无
MBRB2060CTG 20 60 0.95@20A 150 0.150 D2PAK/150(MAX) ￥10.70
MBRB2535CTL 35 25 0.55@25A 150 500@125℃ 3D2PAK/-65~125 ￥11.70
MBRB2545CTG 25 45 0.82@30A 150 0.200 D2PAK/150(MAX) ￥9.80
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MBRB3030CTL 30 30 0.51@30A 150 195@125℃ 3D2PAK/-55~125 ￥14.40
MBRB3030CTLG 30 30 0.51@30A 150 2 D2PAK/125(MAX) ￥14.20
MBRB4030G 40 30 0.55@40A 300 1 D2PAK/150(MAX) ￥15.00
MBRD1035CTLG 10 35 0.49@10A 100 2 DPAK/150(MAX) ￥4.10
MBRD1035CTLT4 35 10 0.49@10A 100 130@125℃ 3DPAK/-55~125 ￥4.37
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MBRD320G 20 3 0.60@3.0A 75 0.200 DPAK/150(MAX) ￥2.80
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MBRD360T4G 60 3 0.60@3.0A 75 0.200 DPAK/150(MAX) ￥2.80
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MBRD835LG 35 8 0.40@3.0A 100 35 DPAK/-65~125 ￥3.40
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MBRF20200CTG 200 20 1.0@20A 150 1 PAK/150(MAX) ￥17.80
MBRF2545CTG 45 25 0.820@25A 150 0.200 PAK/150(MAX) ￥12.50
MBRF40250TG 250 40 0.820@25A 150 0.200 PAK/150(MAX) ￥10.80
MBRM110ET1G 10 1 0.530@1.0A 50 0.001 POWERMITE/150(MAX) ￥1.25
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MBRM120LT1 20 1 0.45@1.0A 50 － POWERMITE/-55~125 ￥1.24
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MBRM130LT1G 30 1 0.45@1.0A 50 0.400 POWERMITE/125(MAX) ￥1.25
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MBRM140T1G 40 1 0.55@1.0A 50 0.500 POWERMITE/150(MAX) 暂无
MBRM140T3 40 1 0.55@1.0A 50 － POWERMITE/-55~125 ￥1.24
MBRP30060CTG 60 300 0.89@300A 2500 0.800 POWERTAP/150(MAX) ￥185.00
MBRP400100CTLG 100 400 0.83@200A 2500 6 POWERTAP/150(MAX) ￥210.00
MBRP60035CTLG 35 600 0.57@300A 4000 10 POWERTAP/150(MAX) ￥395.00
MBRS1100T3 100 1 0.75@1.0A 40 5 SMB/-65~150 ￥1.22
MBRS1100T3G 100 1 0.75@1.0A 40 5 SMB/150(MAX) ￥1.20
MBRS120T3G 20 1 0.55@1.0A 40 10 SMB/125(MAX) ￥.95
MBRS130LT3 30 1 0.395@1.0A 40 10 SMB/-65~125 ￥.90
MBRS130LT3G 30 1 0.395@1.0A 40 10 SMB/125(MAX) ￥.95
MBRS130T3G 30 1 0.55@1.0A 40 10 SMB/125(MAX) ￥.95
MBRS140LT3G 40 1 0.6@1.0A 40 10 SMB/-55 ~150 暂无
MBRS140T3 40 1 0.6@1.0A 40 10 SMB/-65~125 ￥.90
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MBRS190T3 90 1 0.75@1.0A 50 5 SMB/-65~150 ￥1.33
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MBRS410ET3 10 4 0.50@4.0A 250 4.0@100℃ SMC/-65~150 ￥5.51
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